半導体メーカー、力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）の黄崇仁董事長は９日、来年から汎用ＤＲＡＭ生産能力を全体の２割以下まで引き下げる計画を示した。「もうＤＲＡＭメーカーとは呼ばせない」と述べ、今後はＮＡＮＤ型フラッシュメモリー、ファウンドリーに注力する方針だ。10日付経済日報が伝えた。
同社は来年、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産能力を全体の５割まで引き上げる計画だ。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、技術開発をすべて自社で行っており、既に40ナノメートル製造プロセス、最高16ギガバイト（GB）容量の生産に成功。来年は20ナノプロセス、32GB以上への移行を目指す。
ファウンドリーの売上高は現在全体の６割を占める。12インチウエハーによるＬＣＤドライバＩＣは世界シェア６割で首位だ。来年の生産能力は全体の３割とし、ウエハー投入枚数を月１万5,000〜２万枚から今後２万5,000〜３万枚まで増やす計画だ。
