半導体業界では、最先端の製造プロセスが現在の20ナノメートル技術から２～３年後には14ナノメートル技術へと微細化が進むと見込まれている。しかし、業界関係者は関連設備の高価さや素材面で課題が多いと話している。７日付電子時報が伝えた。
まず、半導体生産設備をめぐっては、超紫外線（ＥＵＶ）露光技術による生産設備が１台当たり平均１億米ドルと高価で、多額の設備投資を強いられることが問題だ。
台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の蒋尚義・資深副総経理（研究開発担当）は「14ナノメートル製造プロセスで、ＥＵＶ装置の効率が予想より向上せず、ＥＵＶと電子ビーム露光装置（ＭＥＢ）のいずれを採用するにしても問題が大きい」と述べた。
半導体素材については、国家実験研究院国家ナノデバイス実験室が「三角型ゲルマニウムFinFET」「銀金属直立導線技術」と呼ばれる新技術の実用化を急いでいる。
