半導体業界で回路線幅の微細化が限界に達するのではないかとの見方が浮上する中、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の孫元成技術長は20日、３次元積層技術（３Ｄ−ＩＣ）と組み合わせ、省電力、小面積などの特性の研究を進めれば、10年以内に７ナノメートル、あるいは５ナノメートルを実現するのも問題ではない」と述べた。21日付電子時報が伝えた。
張忠謀ＴＳＭＣ董事長（左２）は19日、輔仁大学で大学教育について講演した（19日＝中央社）
半導体業界にはこれまで、「半導体の集積密度は18〜24カ月で倍増する」とする「ムーアの法則」が存在したが、孫技術長の発言は、今後もこの法則が有効だとの認識を示したものだ。
一方、半導体業界では現在主流の12インチウエハーから18インチウエハーへの移行が進むとみられている。孫技術長は「18インチウエハーと生産設備はまだ研究開発（Ｒ＆Ｄ）段階にある。2009年の世界的な金融危機で、18インチウエハーの導入時期は２年遅れた」と指摘した。
ＴＳＭＣは既に、インテル、サムスン電子、ＩＢＭ、グローバル・ファウンドリーズなどと共同で、「グローバル450コンソーシアム」を結成し、米ニューヨーク州で18インチウエハー技術の研究を進めている。
