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次世代半導体の薄膜材料、田中貴金属が新竹に供給拠点


ニュース 電子 作成日:2012年7月10日_記事番号:T00038173

次世代半導体の薄膜材料、田中貴金属が新竹に供給拠点

  田中貴金属グループの田中電子工業(本社・東京都千代田区、岡本英彌社長)は10日、半導体の微細化技術に使われる薄膜材料、貴金属プリカーサの供給拠点を新竹市に設置し、7月中に供給を開始すると発表した。同様の供給拠点は、米コネチカット州と韓国・仁川市にも置く。

 同グループによると、半導体メーカー各社は、次世代の10ナノメートル台以降の微細化技術で、低抵抗で銅との相性が良いルテニウム薄膜を銅めっきの下地に施すことで、銅めっきの埋め込み性改善を模索している。田中貴金属工業は、微細化技術のための化学的気相成長法(CVD)や原子層堆積法(ALD)といった成膜技術で、材料となる各種のルテニウムプリカーサの開発・提供を行っている。

 ルテニウムプリカーサを海外へ納品する場合、従来は日本で製造してから容輸送していたため、納品までに20日間程度を要していたが、供給拠点開設により10日間以下に短縮できるとしている。なお、田中貴金属工業は、プリカーサに使用されるルテニウムを既に3年間分確保したと説明した。