世界の半導体メーカーが、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）技術で複数のチップを垂直方向に積層した３次元（３Ｄ）ＩＣの開発でしのぎを削る中、南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）はこのほど、独自開発した「バイアミドルＴＳＶ技術」で、２ギガビット（Ｇｂ）ＤＤＲ３を４層積み上げた８ＧｂＤＤＲクアッドダイパッケージ（ＱＤＰ）の試作品を生産することに成功した。19日付電子時報が伝えた。
南亜科技は２年前から工業技術研究院（工研院）と共同で３Ｄ−ＤＲＡＭのＴＳＶ技術開発を進めてきた。同社は2014年までに量産化を図りたい構えだ。
南亜科技の技術提携先であるマイクロン・テクノロジーも３Ｄ−ＤＲＡＭの研究に着手しており、南亜科技は第２段階のＴＳＶ技術開発電でマイクロンと提携する可能性もありそうだ。
