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作成日：2007年11月20日_記事番号：T00003852
ＴＳＭＣ、スパンションの新開発メモリーを受託へ
米ＡＭＤ傘下のフラッシュメモリー大手スパンションは19日、同社独自のチャージトラッピング（電荷捕獲）ストレージ技術を採用した新型ミラービットアーキテクチャーにより、ＮＡＮＤ規格を備えた45ナノメートルのORNAND２を開発すると発表した。20日付工商時報が報じた。
現在スパンションは台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）のメモリ分野の最大顧客で、65ナノメートルORNANDでの提携を進めており、40ナノメートルの技術開発における提携にも合意したばかりだ。このためスパンションの新技術開発が完成すれば、ＴＳＭＣに生産を委託すると予測されている。
ORNAND２アーキテクチャーはSONOSに似た45ナノメートルメモリセルを使用し、高速書き込みおよび高集積度を特徴としており、2009年明けの発売を予定している。スパンションでは、新たに開発する技術はミラービットを基礎としているため、ＮＯＲ型、ORNAND型メモリを生産するラインであれば、ORNAND２も生産可能という。
