ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は４日、2016年に18インチ（450mm）ウエハーで試験生産を行い、18年に製造プロセス10ナノメートルで量産を開始する計画を表明した。先月、オランダの半導体製造装置大手、ＡＳＭＬに対する出資、18インチでの製造技術の共同開発を宣言して以降、初めてロードマップを明確にした。５日付経済日報などが報じた。

中科工場が濃厚

　王建光12インチ工場副総経理は、試験生産は18インチの研究開発（Ｒ＆Ｄ）人員が集中している新竹科学工業園区（竹科）が望ましいが、竹科は余剰用地がないため、18インチ工場は中部科学工業園区（中科）に建設する可能性が高いと語った。

　ＴＳＭＣが５％出資し、18インチウエハーでの製造で核となる極紫外線（ＥＵＶ）露光技術開発を支援するＡＳＭＬのプログラムは、15年にも参加メンバーにデモ機が提供される見通しで、16～17年にサプライチェーンを構築したいと述べた。

　ＴＳＭＣは16年にＥＵＶ露光装置を取得し、生産ライン１本を設置して社内で必要な技術と製造プロセスの規範をまとめ、台湾内外のメーカーとサプライチェーンを作り上げる予定で、18年に10ナノプロセスでモバイルチップ、グラフィックスチップを量産する見通しだ。

ＥＵＶ技術でコスト低減へ

　林本堅・研究開発（Ｒ＆Ｄ）副総経理は、製造プロセスは28ナノに続き、20ナノ、16ナノ、10ナノの順で移行する計画だと述べた。20ナノはＡＳＭＬの液浸露光装置によるダブル・パターニング技術で試験生産中で、16ナノも立体構造トランジスタ（FinFET）でのダブル・パターニングとなると語った。ただダブル・パターニング技術はコストが高いためＥＵＶ露光技術を待ち望んでおり、10ナノで導入する可能性が高いとの見方を示した。

　一方、多重電子ビーム直接描画（MEBDW）技術も好感しており、しかも開発コストが比較的安いので、米ＫＬＡテンコールやオランダのマッパー・リソグラフィと共同で開発していると語った。

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