フラッシュメモリー大手、旺宏電子（マクロニクス・インターナショナル）の呉敏求董事長は、来年第１四半期にも55ナノメートル製造プロセスによるＮＯＲ型フラッシュメモリーを発表する方針を明らかにした。25日付電子時報が伝えた。
呉董事長は「ＮＯＲ型フラッシュメモリーの製造プロセスの高度化が遅れているのは、８インチウエハー工場を12インチ工場へと転換したことが一因で、75ナノプロセスの技術が成熟すれば、生産量も増大する」との見通しを示した。
一方、同社は長期的にＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの技術開発に力を入れていく意向だ。容量面では512MB（メガバイト）、１GB（ギガバイト）の試作品を認証に出している段階で、今後は製造プロセスを75ナノから36ナノに微細化させ、２年以内に４GBの製品を生産するのが目標だ。
さらに、次世代技術の３Ｄ（３次元）ＮＡＮＤ技術では、８層構造でコスト削減に努め、2014～15年にも量産を目指す構えだ。
