ＮＯＲ型フラッシュメモリー大手、米スパンションは４日、組み込みチャージトラップ（ｅＣＴ）型フラッシュメモリー技術を聯華電子（ＵＭＣ）に授権し、同社の40ナノメートル・低消費電力（ＬＰ）ロジックプロセスを利用して共同で技術開発を進めると発表した。さらにスパンションは、開発した技術をＵＭＣに授権し、同社に製造を委託する方針だ。５日付電子時報が報じた。
スパンションはこれまで、2005年に台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）、07年に中国の中芯国際集成電路製造（ＳＭＩＣ）、10年に日本のエルピーダメモリなどと短期間の提携を繰り返してきたが、今回再び台湾ファウンドリー業者との協力を決めた。
背景には09年にスパンションが経営破綻した後、自社工場を相次いで売却したため、生産能力の確保が急務となっていたことがあるとみられる。
