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TSMCとARM、16ナノFinFETで設計完了


ニュース 電子 作成日:2013年4月3日_記事番号:T00042941

TSMCとARM、16ナノFinFETで設計完了

 台湾積体電路製造(TSMC)は2日、16ナノメートル立体構造トランジスタ(FinFET)製造プロセスを初めて採用して生産したARMの「Cortex−A57」プロセッサをテープアウト(設計完了)したと発表した。3日付電子時報が報じた。

 FinFET技術はその低消費電力かつ高性能というメリットから、IC設計業者に対する訴求力を備えている。TSMCは28ナノプロセス市場で示した優勢を維持するため、次々世代の16ナノプロセスだけでなく、先ごろ試験生産を行った20ナノプロセスにおいてもFinFET技術を導入する計画だと電子時報は指摘している。

 なお、2月末にTSMC顧客のアルテラが、14ナノFinFETプロセスでインテルと提携すると表明し、TSMCが技術的に遅れを取っているとの見方が浮上した。しかし電子時報は、ARMのIP(知的財産権)を基礎とするプロセッサーがTSMCの先進プロセスでスムーズに量産できれば、スマートフォンおよびタブレット型パソコン市場で優勢な地位を占めるチップサプライヤーが、TSMCの次世代およびそれ以降のプロセスを採用しない可能性は低いとの見方を示した。