ＴＳＭＣ、先進プロセス移行を前倒し

 　ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の張忠謀董事長は先週米サンノゼでメディアの取材に対し、「先進プロセスは他社を７～８年リードする」と語り、10および７ナノメートル製造プロセス以下の研究開発（Ｒ＆Ｄ）を前倒しする方針を明らかにした。業界関係者は、20、16ナノなどの量産時期や極紫外線（ＥＵＶ）露光技術などの先進技術のＲ＆Ｄもすべて前倒しし、ライバルのサムスン電子やインテルの追撃をかわすことが狙いと指摘した。15日付経済日報などが報じた。

20ナノ、アップル「Ａ７」も

　業界関係者の予測によると、当初20ナノの量産時期は来年が計画されていたが、今年末に繰り上げる。12インチウエハー工場の新竹科学工業園区（竹科）の「Fab12」、南部科学工業園区（南科）の「Fab14」では既に同プロセスによる20件の設計案件がテープアウト（設計完了）しており、多くが次世代プロセッサー「ＡＲＭコーテックスＡ15」チップの生産だが、中にはアップルの次世代プロセッサー「Ａ７」も含まれているとみられる。

　また16ナノによる立体構造トランジスタ（FinFET）世代への突入は１年早くなりそうだ。2015年の生産開始予定が、今年末にも試験生産に入るとみられる。生産品目は「ＡＲＭコーテックスＡ57」および64ビット対応の命令セット「ARMv8」の可能性が高い。

　ＥＵＶ露光技術については昨年末時点で、まだ技術が未成熟なため16ナノおよび10ナノでは採用できず、16～17年に７ナノ以降で導入するとの見方だった。しかしＴＳＭＣは10ナノから同技術を採用し、15年末にも生産・出荷するとの見通しとなり、１～２年前倒しとなる計算だ。

　その他の量産時期も、CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）パッケージング（封止）技術が15年から14年末に、18インチウエハーでの製造は18年から17年後半にそれぞれ繰り上がるとみられる。

28ナノ、生産能力増強中

　なお、すでに量産に入っている28ナノについては、過去にないスピードで生産能力を増強しているものの、供給が追いついていない状況だ。５月以降は中部科学工業園区（中科）の12インチウエハー工場「Fab15」第１期で生産に入り、第３四半期までには月産10万枚規模に拡大するとみられる。

設備投資額、90億元以上も

　今年の設備投資額について張董事長は、当初予定の90億米ドルを上回るとの見通しを示した。同社は09年以来設備投資額を拡大している。外資系アナリストは、量産時期などが順調に繰り上がれば今年の設備投資額は100億米ドルに達し、来年はさらに上回るとの見方を示した。

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