ＵＭＣ、ＩＢＭと10ナノ共同開発へ

　ファウンドリー大手、聯華電子（ＵＭＣ）は13日、米ＩＢＭの技術開発アライアンスに加盟し、10ナノメートルＣＭＯＳ製造プロセスを共同開発すると発表した。2014年末までに米国での初期研究開発（Ｒ＆Ｄ）を済ませ、南部科学工業園区（南科）Ｒ＆Ｄセンターに引き継ぐ計画だ。量産時期についてはコメントを控えたものの、業界関係者はファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が予定している2017年量産に追い付きたい狙いがあると指摘した。14日付電子時報などが報じた。

南科のＵＭＣ・Ｒ＆Ｄセンター（ＹＳＮ撮影）

エンジニアチームを米国に派遣

　ＵＭＣはＩＢＭとの提携について、昨年７月に20ナノ、12月に14ナノの立体構造トランジスタ（FinFET）プロセスでＩＢＭの技術ライセンスを取得したが、今回はそれをさらに発展させたものだと説明。顔博文執行長は、ＩＢＭは半導体技術で世界をリードしており、同社の技術開発アライアンスに加盟することで、10ナノおよびFinFETプロセスの技術Ｒ＆Ｄ期間を短縮したいと語った。ＵＭＣは既にエンジニアチームを米国ニューヨーク州オールバニの10ナノＲ＆Ｄ計画に派遣している。

　FinFETプロセスは、ファウンドリー業界が注力する重要技術で、インテルが22ナノで導入し業界をリードしている。ＴＳＭＣは16ナノから導入する。ＵＭＣは、自社開発した20ナノ平面型（プレーナ型）プロセスにＩＢＭのFinFET技術を導入する。ただ、FinFET技術は14ナノへの導入が主力で、20ナノでは少数顧客に対してのみになると強調した。業界の観測では、ＵＭＣの14ナノは来年下半期にも試験生産を開始し、遅くとも15年末には量産に入れる見通しで、ＴＳＭＣと差は生まれないと予測している。

　グローバルファウンドリーズ（ＧＦ）もＵＭＣ同様、ＩＢＭのFinFET技術を採用してＲ＆Ｄ期間の短縮を進めており、業界関係者はＵＭＣによるＩＢＭとの提携強化はＧＦとの「間接的な提携」ともとれるとの見方を示した。

28ナノで遅れ、業界４位に転落

　ＵＭＣは昨年、28ナノで同業に遅れをとったこともあり、米市場調査会社ＩＣインサイツが発表したファウンドリー各社の売上高ランキングでサムスンに抜かれ４位に転落。上位10社の中で唯一マイナス成長（前年比１％減）と振るわなかった。かつてＴＳＭＣに次ぐ業界２位だったＵＭＣは、ＩＢＭとの提携で巻き返しを図る考えとみられる。現在ファウンドリー業界はモバイル製品向けチップで先進技術の需要が高まっており、ここ４年でＴＳＭＣ、ＧＦ、サムスン電子は設備投資額を大幅に引き上げている。また、インテルが豊富な資金や技術力でファウンドリー事業に注力し始めるなど、競争が激化している。

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