半導体メモリーの華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）は24日の董事会で、2014年から15年にかけての設備投資額を46億5,800万台湾元（約154億円）へと、従来計画の1.8倍に拡大することを決議した。今後の製造プロセス微細化や、国際的大手企業からの受注拡大に向けた準備が目的だ。25日付経済日報が報じた。
同社の現在の月産能力は12インチウエハー約３万3,000枚で、このうち２万枚をニッチＤＲＡＭに、１万3,000〜4,000枚をフラッシュメモリーに充てている。ニッチＤＲＡＭは来年30ナノ製造プロセスを導入する計画で、フラッシュメモリーは顧客の需要に応じて生産拡大のペースを決める。
詹東義同社総経理は、同社は２年前より中国市場でのシェアを引き下げ、代わりに海外大手からの受注を拡大する経営方針に切り替えており、これに基づいてニッチＤＲＡＭとフラッシュメモリーの製造プロセス微細化に積極的に取り組んでいると説明した。
