半導体メモリーの華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）は24日、今年は設備投資に86億台湾元（約290億円）を投じる計画を明らかにした。昨年（21億元）の４倍以上だ。主にＤＲＡＭの生産技術レベルの46ナノメートル製造プロセスへの引き上げ、および12インチウエハーの月産能力を現在の約３万5,000枚から第２四半期に３万8,000枚へと拡大することに充てる。25日付経済日報などが報じた。
詹東義同社総経理は、フラッシュメモリーも58ナノプロセスへと微細化を進めると述べた。チップベースで出荷量の２桁成長を見込む。また、車載用メモリーの売上高が昨年第４四半期に約２倍（前年同期比93％増）になったことから、今年も力を入れていく分野だと語った。
詹総経理はさらに、今年の商品の売上構成比はフラッシュメモリーが約４割、モバイルメモリーが11〜15％、ニッチＤＲＡＭが残りを占めるとの見通しを示した。各製品とも主要顧客向けの出荷割合を高める方針だ。
なお、ウィンボンドの昨年の連結売上高は前年比0.52％増の331億3,500万元。純利益は２億8,700万元となり、３年ぶりに黒字転換を果たした。
