28日付電子時報によると、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は16ナノメートル立体構造トランジスタ（FinFET）製造プロセスについて、３種類のバージョン導入を計画しているとの観測が出ている。そのうち２種類が今年末に試験生産、来年初めに量産に入るとみられ、もう１種類は2015〜16年に試験生産に入る見通しとされる。
ＴＳＭＣの措置は、20ナノ以下のFinFETプロセス技術で、14ナノプロセスの開発を進めるインテル、サムスン電子に対抗する意図があるとされる。
来年初めに量産に入るとされるＴＳＭＣの16ナノプロセス２種類は、アップルの次世代プロセッサー「Ａ９」の受注に向け大きな武器とされる。しかし、サムスンの14ナノプロセスもＴＳＭＣに対抗し、早ければ今年末にも試験生産に入ると伝えられており、両社の競争では良品率が鍵を握ると業界関係者は指摘している。
