サムスン電子とグローバルファウンドリーズ（ＧＦ）は18日、立体構造トランジスタ（FinFET）を用いた14ナノメートル製造プロセスの技術と生産で提携すると発表した。これについて台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は「実質的な影響はない」とコメントした。ＴＳＭＣは来年初めにも16ナノFinFETプロセスで量産に入る予定だ。19日付工商時報などが報じた。
サムスンの14ナノFinFETプロセスは今年末にも量産となる見通しだ。顧客は、サムスンの韓国・京畿道の華城工場、テキサス州・オースティン工場、ＧＦのニューヨーク工場のうち生産工場を選択できる。
業界関係者は、サムスンはアップルの「Ａ８」プロセッサー受注を逃したため14ナノ工場を自社で建てる必要がなく、ＧＦとの提携により最低限の投資で生産能力を確保できると説明。ＧＦにとってはサムスンの先進プロセス技術によって、受注が増やせると指摘した。
証券会社は、両社は技術、顧客が相互補完関係にあり、ＴＳＭＣに一定の影響を与えるとの見方だ。
