ファウンドリー世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が16ナノメートル立体構造トランジスタ（FinFET）製造プロセスのアップグレード版「FinFET Plus」を来年１月から量産するとみられる中、ライバルのサムスン電子も最近14ナノプロセスでＴＳＭＣと同様、アップグレード版の「ＬＰＰ（Low Power Plus）」プロセスを計画しているとの観測が出ており、両社の開発レースが熱を帯びているようだ。15日付電子時報が報じた。
同紙によると、ＴＳＭＣの既存の16ナノFinFETプロセスはサムスンやインテル、グローバルファウンドリーズ（ＧＦ）の14ナノプロセスに比べ性能面で劣るものの、コストを抑えられるメリットを持つ他、いち早くアップグレード版の提供を決めたことで顧客に安心感を与えているという。
このためＴＳＭＣへの対抗心を燃やすサムスンは、現在開発中の14ナノ「ＬＰＥ（Low Power Early）」がいまだ量産に入っていない段階でＴＳＭＣに倣い、消費電力性能を向上させたアップグレード版量産の準備を進めているとされる。
