ＩＣ設計会社、創意電子（グローバル・ユニチップ、ＧＵＣ）は22日、同社が開発したDDR4 PHYシリコンＩＰが台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の16ナノメートル立体構造トランジスタ（FinFET）製造プロセスを採用したシリコンチップでの検証に合格したと発表した。これは同社にとって初の16ナノＩＰとなり、来年からＴＳＭＣの16ナノプロセスに大規模導入されると証券会社はみている。23日付蘋果日報が報じた。
創意電子が開発した16ナノＩＰはデータ伝送速度が最大3.2ギガビット毎秒（Gbps）と従来のDDR3 IPに比べて50%速く、同一速度下での消費電力も25%低減された。また、外部ループバックテストでは最大3.5Gbpsに達し、伝送速度が2.4GbpsのDDR4 DRAMに対し2.7Gbpsという高速の読み取り・書き取りを実現する。
創意電子の賴俊豪総経理は、「これまでＩＰ事業の売上構成比は非常に低かったが、既に複数の供給先が確保できる見通しが立っており、今年は業績成長が期待できる」と述べた。また今年の研究開発（Ｒ＆Ｄ）は16、20ナノ技術の開発に集中し、今後テレビ、プロジェクター、ＵＳＢ、ネットワーク機器などの分野でもＩＰ開発を進めるとの考えを示した。
