韓国サムスン電子はこのほど、ＳＴマイクロエレクトロニクスへの28ナノメートル製造プロセスによる完全空乏型ＳＯＩ（FD-SOI）技術の供与を決めた。ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の広報担当者は「ＳＴマイクロエレクトロニクスは確かに長年の顧客だが、今回サムスンが技術供与したＳＯＩウエハー技術はＴＳＭＣのバルクウエハー技術とは異なる。ＴＳＭＣは28ナノ技術でシェア80%を超えているため、脅威は感じていない」と説明した。24日付蘋果日報が伝えた。
市場調査会社、拓ボク産業研究所（ボクはつちへんに僕のつくり、ＴＲＩ）半導体研究センターのアナリスト、陳蘭蘭氏は「サムスンは28ナノの稼働率向上と14ナノによる量産の加速を狙っている」と指摘。その上で「ＴＳＭＣは28ナノ分野の技術とシェアで追随を許さず、現時点でサムスンは脅威ではないが、野心を軽視すべきではない」と述べた。
なおサムスンは４月、グローバル・ファウンドリーズ（ＧＦ）との間で、14ナノプロセスによる立体構造トランジスタ（FinFET）の技術供与でも合意している。
