サムスン電子は31日の業績説明会で、半導体事業で同社が開発を進める立体構造トランジスタ（FinFET）を用いた14ナノメートル製造プロセスについて、年末に量産に入るとの見通しを示した。一方、業界関係者は、「台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の16ナノFinFETプロセスも同時期に量産を開始するとみられ、両社の次世代プロセス競争は良品率の改善スピードが勝敗を分ける」との見方を示した。１日付工商時報が報じた。
サムスンは、下半期に入りモバイル端末の販売不調が続いており、ハイエンド・アプリケーションプロセッサの需要にも影響が出ているが、今後も20ナノプロセスによるプロセッサの発表や14ナノ製品の量産計画を進め、顧客基盤を固めたいとの方針を示した。
