４日付工商時報が業界関係者の話を基に伝えたところによると、ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は、半導体製造プロセス微細化の重要な鍵を握る極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィー（露光）技術について最近、１日にシリコンウエハー600枚の露光に成功したもようだ。これは半導体業界最大手のインテルが７月に達成したのと同様のレベルだ。
同紙によると、ＴＳＭＣは今年末にも16ナノメートルFinFET（ＦＦ、立体構造トランジスタ）プロセスによる量産を開始する他、次世代の10ナノプロセスについても開発段階に入っている。張忠謀（モリス・チャン）同社董事長は先ごろ、10ナノプロセスについて「来年下半期にテープアウト（設計完了）する」との見通しを示した上で、同プロセスにおいてＥＵＶ露光技術を導入する可能性が高いと語っている。
１日にシリコンウエハー600枚のＥＵＶ露光達成が事実とすれば、既にＥＵＶ露光装置を使って10ナノプロセスによる試験生産が可能ということを示し、2016年に10ナノプロセスによる量産が実現する可能性が高まったことになる。
