ファウンドリー世界最大手の台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）と英ＡＲＭは２日、ＴＳＭＣの10ナノメートルFinFET（ＦＦ、立体構造トランジスタ）プロセス向け「ARMv8−AプロセッサーＩＰ」最適化ソリューションを実現することで複数年にわたる協業契約を結んだと発表した。早ければ2015年第４四半期に、10ナノFinFETプロセスを採用した64ビットＡＲＭアーキテクチャーのプロセッサーをテープアウト（設計完了）できる見通しだ。３日付工商時報が報じた。
ＴＳＭＣは16ナノFinFETプロセスでの協業における成功から、10ナノプロセスでも協業を決めたとしている。
なお工商時報によると、ＴＳＭＣの先進製造プロセスは、今年量産を開始した20ナノプロセスに続き、来年には16ナノFinFETプロセス、17年には10ナノFinFETプロセスが量産に入る見通しだ。
