ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は11日董事会で、設備投資予算案1,672億4,310万台湾元（約6,300億円）を承認した。28ナノメートル以降の先進製造プロセス、40ナノ以上の主流プロセス、特殊プロセスの生産能力拡大、工場やオフィス建設などに充てる。今回の設備投資額は台湾ハイテク業界で過去最高額だ。12日付工商時報が報じた。
同社は今年96億米ドル、過去５年で408億3,400万米ドルの設備投資、工場拡張を続けてきた。先進プロセスでインテルに追い付き、28ナノ高誘電率膜・金属ゲート（ＨＫＭＧ）、20ナノシステムオンチップ（ＳｏＣ）などの生産能力は世界最大となった。今年は28ナノプロセスがフル稼働、20ナノ生産能力も供給不足で、通年売上高は前年比27％増の7,600億元となる見通しだ。
同社は来年さらに100億米ドル以上を投じて、南部科学工業園区（南科）12インチウエハー工場Fab14の第６、７、８期、16ナノのフィン形状の立体構造電界効果トランジスタ（FinFET）生産能力を拡大する。来年半ばに量産し、月産能力は６万～８万枚増える予定だ。
