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ASMLが来年EUV装置出荷、TSMC10ナノ移行の鍵に


ニュース 電子 作成日:2014年11月25日_記事番号:T00054026

ASMLが来年EUV装置出荷、TSMC10ナノ移行の鍵に

 オランダの半導体製造装置大手、ASMLは24日、新たな極紫外線(EUV)露光装置の量産を既に始め、ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造(TSMC)から受注しており、来年出荷する予定と発表した。同設備はTSMCが10ナノメートル以下の製造プロセスに移行する上で鍵となる。25日付工商時報が報じた。

 ASMLは、TSMCが新たなEUV露光装置でコストを引き下げ、クアルコムやアップルなど得意先のハイエンドチップを生産できると説明した。

 TSMCは10ナノプロセスで、携帯電話用ベースバンドチップ、グラフィックチップ、FPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)、サーバーやゲーム機などの分野の顧客10社以上の製品を設計している。来年末に試験生産し、2016年末に量産する見通しだ。

 TSMCは、EUV露光装置を当初は12インチウエハーの10ナノプロセスで使用し、将来的には18インチウエハーも検討するとみられる。

 TSMCの他、サムスン電子、インテル、IBMもASMLのEUV露光装置を発注したようだ。