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ASMLのEUV技術向上、TSMCの10ナノ量産に貢献【表】


ニュース 電子 作成日:2015年2月25日_記事番号:T00055551

ASMLのEUV技術向上、TSMCの10ナノ量産に貢献【表】

 オランダの半導体製造装置大手、ASMLは24日、ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造(TSMC)が採用したASMLの極端紫外線(EUV)露光装置「NXE3300B」が1日当たりウエハー1,000枚以上を露光したと発表した。25日付工商時報が報じた。

 TSMCは先日米国の学会で、試験で「NXE3300B」を使い連続1,022枚を露光できたと明かした。これに先立ち、同社はEUV露光での量産を望んでおり、10ナノメートル製造プロセスの一部でまず採用する考えを示している。同社は「NXE3300B」2台を擁し、年内に「NXE3350B」2台を搬入する予定だ。 

 ASMLがこれまでに出荷した「NXE3300B」は8台で、いずれも1日500枚を露光でき、10ナノプロセスの試験生産が可能なレベルだ。ASMLは量産ニーズに応えるため、処理枚数は年内に1日1,000枚、来年末までに1,500枚を目標にしている。