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HTC「M9」に過熱問題指摘、表面温度55度も


ニュース 電子 作成日:2015年3月18日_記事番号:T00055939

HTC「M9」に過熱問題指摘、表面温度55度も

 18日付工商時報がオランダのデジタル製品情報サイトの報道を基に伝えたところによると、宏達国際電子(HTC)のスマートフォン旗艦機種「HTC One M9」にベンチマークソフトを使用した結果、同製品の表面温度が55度の高温に達し、同時にテストしたアップルの「iPhone6プラス」(最高39.4度)、サムスン電子の「ギャラクシーノート4」(37.8度)を大きく上回ったことが明らかとなった。


「M9」は世界に先駆け台湾で発売することになっており、発売日は16日だったが、ソフトに問題が生じ20日に延期した(中央社)

 「M9」のオーバーヒート問題は同製品に搭載された「スナップドラゴン810」プロセッサーに起因するとみられ、HTCが問題を解決できていないのではないかとの疑惑が生じている。これに対し同社は「実験に使用されたのは発売前のデモ機で、参考にならない」と指摘した。

 ベンチマークテストは専用ソフトを使用して対象製品の機能を最大限に高めることで性能を測るもので、通常の使用状況とは異なる。今回のテストでも「M9」の表面温度はベンチマークソフト「GFXBench」を使用した場合にのみ55度を記録したが、3D(3次元)ゲームを使用した際は42度前後にとどまった。ただ他の機種に比べるとやはり高温となったようだ。