ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は2014年の年次報告書で、７ナノメートル製造プロセスは2018年に試験生産する予定と明かした。１日付蘋果日報が報じた。
張忠謀（モリス・チャン）董事長は年次報告書で、14年に先行開発を開始した７ナノは、今年はトランジスタの構造選択、トランジスタと導線の基本製造プロセス選択、信頼性試験に重点を置き、来年に全面的な開発を行うと指摘した。
ＴＳＭＣは昨年、ＡＳＭＬから極端紫外線（ＥＵＶ）露光装置「ＮＸＥ3300」２台を調達。７ナノ製造技術の需要を満たすため、現在同社と設備能力の向上に取り組んでいる。
また、ＴＳＭＣは７ナノ以下の製造プロセス開発に向け、マルチ電子ビーム直描（ＥＢＤＷ）技術を検討する計画だ。
この他、10ナノプロセスは年末に試験生産、来年量産入りする予定。16ナノ立体構造トランジスタ（FinFET）プロセスのアップグレード版「FinFETプラス」は７月に量産入りし、年末までに約60件の製品がテープアウト（設計完了）する見通しだ。
