７日付電子時報によると、半導体メモリーの華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）が近く、中国のファウンドリー、上海華力微電子（ＨＬＭＣ）と戦略提携を結び、ＨＬＭＣの12インチウエハー工場でＮＯＲ型フラッシュメモリーを生産するとの観測が半導体業界で伝えられている。事実であれば、台湾のメモリーメーカーが中国のファウンドリーに生産を委託する初めてのケースとなる。
業界関係者によると、ウィンボンドは技術移転せず、ＨＬＭＣの既存の65ナノメートル製造プロセスまでの技術で、新しくＮＯＲ型フラッシュメモリーを設計し、今年下半期に生産を開始する予定だ。
ウィンボンドは、台湾ファウンドリーの12インチ生産能力では、同社の今後３年の需要を満たせないと判断し、中国ファウンドリーとの提携を決めたとされる。モノのインターネット（ＩｏＴ）商機で、ＮＯＲ型およびＮＡＮＤ型フラッシュメモリー、SDRAM（シンクロナスＤＲＡＭ）など低容量メモリーの需要が急増する見通しだ。
