中国のＩＣ設計大手、展訊通信（スプレッドトラム・コミュニケーションズ）の李力游董事長は、2016年に発売するハイエンドとローエンドのスマートフォン用チップについて、インテルの14ナノメートル立体構造トランジスタ（FinFET）製造プロセスを採用する計画だと述べた。スプレッドトラムのスマホ用チップは現在、主に台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）が28ナノプロセスで生産している。28日付工商時報が報じた。
スプレッドトラムは、来年のスマホ用チップにFinFETプロセスを全面採用するようだ。ただ、今年末に先行発売するミドルエンドのオクタコア（８コア）スマホ用チップはＴＳＭＣの16ナノFinFETプロセスを採用するとみられる。
インテルは昨年スプレッドトラムの親会社、紫光集団に15億米ドル出資し、スプレッドトラムとの関係を深めている。
一方、李スプレッドトラム董事長は、現在ＡＲＭアーキテクチャのスマホ用チップを採用しており、インテルアーキテクチャに切り替えるとは限らないと述べた。
