ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の魏哲家共同執行長は28日開催した技術フォーラムで、同社の16ナノメートル立体構造トランジスタ（FinFET）製造プロセスの効率は競合より10％高く、20ナノプロセスより消費電力が５割少ないと述べた。既に量産しており、下半期には生産量が増えると話し、顧客の需要を十分に満たせる自信をうかがわせた。29日付蘋果日報などが報じた。

魏共同執行長は、顧客の製品をすぐに作れる最適なパートナーはＴＳＭＣだと力説した（28日＝中央社）

　魏共同執行長は16ナノプロセスについて、今年末までにテープアウト（設計完了）する製品は50以上と予測した。16ナノプロセスより消費電力が５割少ない16ナノ上位版ＦＦＣも予定しており、10ナノプロセスは来年下半期に量産すると話した。今年の研究開発（Ｒ＆Ｄ）費用は前年比19％増で22億米ドルと語った。設備投資は105億〜110億米ドルへ前年より10〜16％引き上げる。

　魏共同執行長は、同社はあらゆる面で優れており、昨年のＲ＆Ｄエンジニアは4,700人、Ｒ＆Ｄ費用は19億米ドル、8,800種類の製品を作り出したと述べた。現在は生産ライン11本で826万枚（12インチウエハー換算）を生産でき、顧客は456社と毎週１社のペースで増えていると語った。

　秦永沛・運営製品発展副総経理は、今年の20ナノプロセスのシステムオンチップ（ＳｏＣ）と16ナノFinFET、FinFETプラスの生産能力は昨年の２倍で、来年は16ナノプロセスの生産能力が今年の３倍になると予測した。

　蔡志群アジア業務資深処長は、中国の半導体産業の脅威に対し、台湾は革新を続けることが唯一の方法だと述べた。