ニュース 電子 作成日:2015年6月25日_記事番号:T00057753
中国のファウンドリー最大手、中芯国際集成電路製造(SMIC)が23日、同国の通信機器大手、華為技術(ファーウェイ・テクノロジーズ)、米半導体大手クアルコムおよびベルギーの半導体研究機関インターユニバーシティー・マイクロエレクトロニクス・センター(IMEC)と、14ナノメートルFinFET(FF、立体構造トランジスタ)プロセスの開発を手掛ける合弁会社、「中芯国際集成電路新技術研発(上海)」を設立すると発表した。これを受けて台湾のIC設計業者が将来的に影響を受け、対策が必要となるとの見方が出ている。25日付工商時報が報じた。
FinFETプロセス技術の開発においてファウンドリー業界では、インテルが既に1年前に、サムスン電子とグローバルファウンドリーズ(GF)も今年初めに14ナノプロセスでの量産を開始。台湾メーカーでは台湾積体電路製造(TSMC)が今月16ナノプロセスによる量産に入り、聯華電子(UMC)も来年14ナノプロセスでの量産を開始する予定だ。
一方、SMICは現段階で40/45ナノプロセスを最先端プロセスとしており、業界他社に大きく後れを取っている。こうした中、今回の合弁に対し工商時報は、製造プロセスの研究開発(R&D)には3〜5年の期間が必要で、SMICが14ナノプロセスによる量産に入る時期に、同業他社は10ナノ以下の世代に入っていると指摘。大きな脅威にはならないとの見方を示した。
ただ将来的に、SMICが中国のIC設計業者だけに14ナノプロセスによる生産サービスを低価格で提供するようになれば、台湾のIC設計業者に脅威となる可能性があると指摘した。
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