オランダの半導体製造装置大手、ＡＳＭＬは20日、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）を含む顧客３社で最新鋭の極端紫外線（ＥＵＶ）露光（リソグラフィー）装置による４週平均稼働率が80％以上に達したことを明らかにした。
半導体業界でＥＵＶ技術は、ムーアの法則（半導体の集積密度は18～24カ月で倍増する）を継続する上で鍵を握る重要技術とされ、技術開発の推移に注目が集まっている。
ＡＳＭＬによると、最新鋭のＥＵＶ露光装置では、ウエハー生産能力が日産1,350枚に達し、今年の目標である1,500枚に近づいているという。
これに関連し、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の劉徳音共同執行長（共同ＣＥＯ）は、第２四半期中にもＥＵＶ露光装置１台を追加購入することを明らかにしている。ＴＳＭＣは今後、５ナノメートル製造プロセスからＥＵＶ露光装置を導入する構えだ。
