７日付電子時報によると、サムスン電子がＡＳＭＬから最新の極端紫外線露光（ＥＵＶリソグラフィー）装置を調達し、早ければ2017年末にも７ナノメートル製造プロセスで量産する見通しだ。ＥＵＶリソグラフィー技術は「ムーアの法則（半導体の集積密度は18～24カ月で倍増する）」の限界に挑む救世主と言われている。業界の先頭を切り、18年に７ナノプロセスで量産開始とみられていた台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）はアップル受注をめぐり、対抗措置を迫られる。

　ＴＳＭＣとサムスンはアップルのプロセッサー受注競争を繰り広げている。昨年はサムスンが14ナノプロセスでアップル受注を多く獲得したが、今年の10ナノプロセスではＴＳＭＣがスマートフォンiPhone次世代機種向けプロセッサー「Ａ10」を独占受注し、優位に立っている。

　10ナノプロセスは14ナノプロセスより性能が20％向上するが、７ナノプロセスなら35％向上し、消費電力も65％抑えられるため、ＴＳＭＣとサムスンは７ナノプロセスの研究開発（Ｒ＆Ｄ）を強化している。業界予測によると、両社の７ナノプロセスへの設備投資は２億5,000万米ドルを超え、28ナノプロセスの９倍以上となる見通しだ。一方、14ナノプロセスで先頭を切ったインテルは、10ナノプロセスの目標が18年で、７ナノプロセス導入を急いでいない。

ＥＵＶ、ＴＳＭＣは５ナノで採用か

　ＥＵＶリソグラフィー技術は光源の高出力化など課題が多く、これまで半導体の量産が実現していない。半導体露光装置最大手、ＡＳＭＬは、ＥＵＶ光源の出力を200ワット（W）まで引き上げることに成功し、目標の250Wまであと一歩だと表明した。既に出荷している「ＮＸＥ3300」、「ＮＸＥ3350」に続いて、「ＮＸＥ3400」を年末に出荷する見通しだ。

　サムスンは「ＮＸＥ3400」を調達し、17年第４四半期に７ナノプロセスで生産する計画だ。最新プロセスを試したい半導体メーカーをターゲットとし、まずは12インチウエハーでなく、８インチウエハーで製造することで、リスク低減を図る。

　一方、ＴＳＭＣのＥＵＶリソグラフィー技術採用は５ナノプロセス以降とみられている。

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