中国・陝西省西安市の変電所で18日に起きた爆発事故により、現地にあるサムスン電子の半導体工場や米マイクロン・テクノロジーおよび力成科技（パワーテック・テクノロジー、ＰＴＩ）のパッケージング・テスティング（封止・検査）工場で電力の瞬断や電圧が下がるなどのトラブルが発生した。これを受けて半導体メモリー市場では供給に影響が出るとの見方が強まり、ＤＲＡＭおよびＮＡＮＤ型フラッシュメモリー価格が全面的に上昇している。21日付工商時報は「メモリ業界の西安事件」と報じた。
事故を受けてサムスンなど３社はいずれも「今後の供給に大きな影響は出ない」と説明したが、業界関係者は過去にメモリー工場や封止・検査工場で電力の瞬断が発生した際は、設備がフリーズしたり、パラメータが失われ、完全復旧に少なくとも１～２週間かかったと指摘している。
こうした中、メモリー販売業者が20日、在庫の積み増しを開始したことから同日、台湾、香港、深圳のスポット市場では32GB／64GB USB 3.0メモリー価格が５～10％、16GB／32GB マイクロＳＤカード価格が３～５％、32GB／64GBのＭＬＣ規格ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー価格が１～３％上昇。ＤＲＡＭモジュール価格も深圳で３～５％上昇した。
