サムスン電子は新型スマートフォン「ギャラクシーノート７」の発火、爆発事故による打撃をカバーするため、需要期を利用してＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの価格引き上げを決定したようだ。ＳＫハイニックスも追随し、第４四半期の汎用ＤＲＡＭ価格は10～15％上昇すると予想される。12日付経済日報が報じた。
業界関係者によると、サムスンやＳＫハイニックスは、下半期にスマートフォン、ノートパソコン、サーバーの新製品の発表が相次ぎ、需要が高まるのに合わせ、ＤＲＡＭとＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの価格を引き上げる。両社は８月もＤＲＡＭ価格を引き上げており、最近顧客に対し、９月と第４四半期の値上げを通知したようだ。
ＤＲＡＭ価格上昇により、▽華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）▽南亜科技（ナンヤ・テクノロジー）▽華亜科技（イノテラ・メモリーズ）──のほか、価格上昇前に在庫の積み増しを行っていたメモリーモジュールの威剛科技（Ａデータ・テクノロジー）、宇瞻科技（アペイサー・テクノロジー）などが恩恵を受けそうだ。
