半導体メモリー大手、華邦電子（ウィンボンド・エレクトロニクス）の焦佑鈞董事長は15日、ＤＲＡＭの３Ｘナノメートル製造プロセス技術の自社開発に成功したことを明らかにした。ＤＲＡＭのナノプロセス技術開発は台湾メーカーで初めて。第４四半期に量産を開始する見通しだ。証券会社は、同社のＤＲＡＭ製造プロセスの微細化は６年ぶりで、2018年に２Ｘナノプロセスの量産に入ると予測した。17日付工商時報が報じた。
焦董事長は15日、汎用ＤＲＡＭ市場の変動は大きく、同社は特殊用途市場で安定成長を追求すると述べた（15日＝中央社）
同社は今年、特殊用途メモリーの市場シェアを拡大している。ＤＲＡＭ、ＮＯＲ型／ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでアップルやサムスン電子から受注を獲得した。
サムスンの新型スマートフォン「ギャラクシーノート７」の発火・爆発問題による生産販売中止について、詹東義総経理は、サムスンの他機種や他のスマホ大手ブランドからも受注しているため、同社の業績に影響はないと説明した。
ウィンボンドは、欧米、日本、韓国の自動車メーカー大手からＤＲＡＭ受注を取得後、ＮＯＲ型、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでも認証を取得している。第２四半期のカーエレクトロニクス、産業用コンピューター（ＩＰＣ）向け売上高構成比は16％に達した。
