ニュース 電子 作成日:2016年11月22日_記事番号:T00067548
22日付電子時報によると、中国のDRAMおよびNAND型フラッシュメモリー市場で競争が激化する中、長江存儲科技や合肥長鑫といった同国のメモリーメーカーが台湾のDRAMメーカーやIC設計業者から積極的に人材の引き抜きを行っているようだ。特に安徽省合肥市が進めるメモリー産業の発展計画では、華亜科技(イノテラ・メモリーズ)シニア副総経理を務めた劉大維氏が台湾人材の獲得を指揮しており、3倍の給与条件を提示して引き抜きを図っているとされる。
このほか長江存儲科技傘下の武漢新芯集成電路製造も台湾人材の引き抜きを積極化しており、昨年、聯発科技(メディアテック)が買収した特殊用途メモリーメーカー、常憶科技の王筱瑜元総経理と張有志元副総経理、メモリー設計の晶豪科技(エリート・セミコンダクター・メモリー・テクノロジー)と合併した同業、宜揚科技(EONシリコン・ソリューション)の周錦頴元総経理が同社に加わったほか、メモリー設計の鈺創科技(イートロン・テクノロジー)の元従業員も数多く採用されているもようだ。
ただ一方で業界関係者は、中国のメモリー産業が発展する鍵は合法的に技術を取得できるかどうかにあり、生産能力や人材は「その後の話」と指摘している。
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