サムスン電子やＳＫハイニックスがユニバーサル・フラッシュ・ストレージ（ＵＦＳ）規格に準拠したスマートフォン向けフラッシュメモリーの導入を積極的に推進する中、メモリーのコントローラＩＣ設計業者は今後、第２世代のＵＦＳ用コントローラＩＣを、全て台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）に委託して28ナノメートル製造プロセスでの量産を計画しており、ＴＳＭＣは来年にかけて旺盛な受注が続くと見込まれる。２日付電子時報が報じた。
ＵＦＳメモリーは既にサムスン電子の「ギャラクシーＳ７」、「ギャラクシーノート７」、ＬＧエレクトロニクスの「Ｖ20」といったスマートフォンに採用されており、市場シェアは2018年に40％、19年に50％まで拡大するとの予測も出ている。
なお第１世代のＵＦＳ用コントローラＩＣは、サムスン電子を除き、ＴＳＭＣおよび聯華電子（ＵＭＣ）の40ナノプロセスで生産されているが、台湾の群聯電子（ファイソン・エレクトロニクス）、慧栄科技（シリコン・モーション・テクノロジー）が今年末～来年第１四半期に量産を開始する見通しの第２世代製品は全てＴＳＭＣの28ナノプロセスが採用されるもようだ。
