ＤＲＡＭ大手、華亜科技（イノテラ・メモリーズ）の元董事長で、現在は中国の半導体大手、紫光集団の全球執行副総裁を務める高啓全氏は、ＤＲＡＭ市場でサムスン電子に対抗できるのは大陸（中国）メーカーのみと述べ、台湾で果たせなかった夢の実現に意欲を示した。紫光集団はＤＲＡＭ市場シェア25％を目標に、今後10年間で480億～530億米ドルを投じると語った。さらに３次元（３Ｄ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー投資を合わせると、投資額は10年で1,000億米ドルに上るという。５日付電子時報が報じた。

　高氏によると、かつては米国メーカーが世界ＤＲＡＭ市場シェア90％を握っていたが、1985年にインテルがＤＲＡＭ市場から撤退し、日本メーカーが米国メーカーを打ち負かした。その後、韓国メーカーが日本メーカーを破った。続いて台湾政府が2008年に台湾メーカーの力を結集するため台湾記憶体公司（ＴＭＣ）を設立し、韓国メーカーに挑もうとしたが失敗に終わった。高氏は、当時業界では5,000億台湾元（約１兆9,000億円）の資金が必要とされていたのに対し、台湾政府からの提供されたのはわずか80億元だったと振り返り、「80億元で何ができたのか」と批判した。

　高氏は現在のＤＲＡＭ産業について、変動の激しい市場から成熟市場へと移行しており、この時期の参入は正しいと語った。紫光集団はシェア25％を獲得するため、月産能力30万枚のＤＲＡＭ工場建設に330億米ドル、その後５年間の固定費で150億～200億米ドルがかかると説明した。

３次元ＮＡＮＤ、19年量産へ

　高氏はまた、紫光集団傘下の長江存儲科技はＤＲＡＭでなく、より投資価値のある３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーにリソースを投入すると述べた。2019年に64層３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー量産を開始し、20年にサムスンからの後れを２年に縮めたいと語った。