ファウンドリー最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）は先日、▽ＩｏＴ（モノのインターネット）▽モバイル端末▽高性能計算（ハイパフォーマンスコンピューティング、ＨＰＣ）▽スマートカー──向けに、高速・低消費電力のeRRAM（組み込み式抵抗変化型メモリー）、eMRAM（組み込み式磁気抵抗メモリー）をそれぞれ今年末、来年末に試験生産すると表明した。次世代メモリー市場で既にＭＲＡＭを発表したサムスン電子を追い掛ける。５日付経済日報が報じた。

　孫元成技術長は先日のＴＳＭＣ技術フォーラムで、長年にわたり研究開発（Ｒ＆Ｄ）してきたeRRAMとeMRAMを来年以降、主に製造プロセス22ナノメートルで試験生産する予定だと説明した。eRRAMは来年半ばに量産予定だ。

　魏哲家共同執行長はこれまで、汎用メモリーにはもう参入しないと語っていた。次世代メモリーは、ＴＳＭＣにとってメモリー市場への再参入となる。

サムスンのＭＲＡＭ、ＮＸＰが採用

　次世代メモリーを提供できるのは現在サムスンだけだ。サムスンのＭＲＡＭは、ＮＸＰセミコンダクターズが採用を決めており、ＴＳＭＣを大きくリードしている。

　一方、ＴＳＭＣは2000年より工業技術研究院（工研院、ＩＴＲＩ）とＭＲＡＭなどの次世代メモリーの研究開発を行ってきた。ＤＲＡＭに比べて難易度が高いため、研究開発の時点で商用化を諦めるメーカーが多数だが、ＤＲＡＭやＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでは▽無人自動車▽人工知能（ＡＩ）▽ハイエンドスマートフォン▽ＩｏＴ──などの高速演算に限界があるため、ＴＳＭＣは来年以降の量産目標を決定したようだ。

　次世代メモリーは、従来のフラッシュメモリーの１万倍以上の書き込み速度で、今後メモリー市場の主流となる可能性がある。

　メモリー関係者は、主な次世代メモリーは▽ＭＲＡＭ▽ＲＲＡＭ▽ＰＲＡＭ（相変化メモリー）──の３つで、中でもＭＲＡＭは処理速度が最も速いものの、最も量産が難しいと指摘した。

マクロニクスも期待感

　台湾メーカーでは旺宏電子（マクロニクス・インターナショナル）、華邦電子（ウインボンド・エレクトロニクス）や聯華電子（ＵＭＣ）も次世代メモリーに参入している。

　マクロニクスは既に特許を取得するなど、最も進度が早い。盧志遠総経理は、次世代メモリーは書き込み速度が速く、今後の商機が期待できると話した。ただコストが非常に高いので、応用製品が限定され、商用化まで時間がかかると述べた。

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