国際半導体製造装置材料協会（ＳＥＭＩ）は12日、台湾の2017年の半導体製造装置への投資額は127億3,000万米ドル（前年比4.1%増）となり、韓国の129億7,000万米ドル（前年比68.7%増）に抜かれて２位となり、５年間守ってきた首位の座から転落するとの見通しを示した。さらに来年は急成長する中国に抜かれて３位に順位を落とす予測だ。韓国は大手が３Ｄ（３次元）構造ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを増強、中国では各地で12インチウエハー工場の建設が計画されており、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）１社が大部分を支える台湾は成長に限界がある。13日付工商時報が報じた。

17年製造装置、過去最高へ

　ＳＥＭＩによると、17年の世界全体の半導体製造装置投資額は前年比19.8％増の494億2,000万米ドルと、ＩＴ（情報技術）バブル時の00年の477億米ドルを上回り、過去最高となる予測だ。

　製造装置別では、▽ウエハープロセス用処理装置、398億米ドル（前年比21.7％増）▽テスティング（検査）装置、39億米ドル（6.4％増）▽パッケージング（封止）装置、34億米ドル（12.8％増）▽ウエハーやフォトマスクなど前工程装置、23億米ドル（25.6％増）──。

　18年の半導体製造装置の投資額についてＳＥＭＩは、台湾は108億7,000万米ドル（前年比14.6％減）とマイナス成長に転じる一方、韓国は133億8,000万米ドルと台湾との差を広げつつ首位を維持、中国は110億4,000万米ドル（約61.4％増）と大幅成長して２位に浮上すると予測した。

台湾、設備投資緩慢に

　台湾メーカーでは、ＴＳＭＣが今後数年間100億米ドル以上の設備投資を維持する計画だ。７ナノメートル製造プロセスの生産能力増強、ＥＵＶ（極紫外線）露光技術を用いた製造プロセスの導入、５ナノ工場計画などを進める。一方、同社が中部科学工業園区（中科）で導入する製造装置は10ナノと７ナノの両工程に対応可能で、７ナノに移行しても製造装置更新の必要がないため、今後製造装置への投資額は緩慢になるとみられる。

　ＴＳＭＣ以外の台湾メーカーの設備投資は、ファウンドリー大手の聯華電子（ＵＭＣ）が年20億米ドル前後、半導体パッケージング・テスティング（封止・検査）最大手の日月光半導体製造（ＡＳＥ）が年10億米ドル以下で、規模はＴＳＭＣと比べてかなりの差がある。

韓国、3D NANDを拡充

　韓国では、メモリー世界大手のサムスン電子とＳＫハイニックスが、３Ｄ ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの生産能力拡充と、ＤＲＡＭの先端プロセス転換に注力する。また、サムスンが７ナノでＥＵＶ露光技術を導入するなど、製造装置への投資額の成長が続く。

　中国では、▽ＴＳＭＣ南京工場▽ＵＭＣアモイ工場▽力晶科技（パワーチップ・テクノロジー）合肥合弁工場──といった台湾メーカーの他、▽中芯国際集成電路製造（ＳＭＩＣ）▽武漢新芯集成電路製造──などの地場メーカー、▽インテル▽グローバルファウンドリーズ▽サムスン▽ＳＫハイニックス──など海外大手も12インチ工場の建設を推進しており、製造装置への投資額が急増するとみられる。

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