産業用メモリーモジュールの宜鼎国際（イノディスク）は28日、組み込み式ＤＲＡＭモジュール「DDR4 2666MT/s」を発表した。同製品はインテルが７月に発表したデータセンター向けプラットフォーム（開発コードネーム・Purley）をサポートし、インダストリー4.0（第４次産業革命）、自動化ロボット、セキュリティー、モノのインターネット（ＩｏＴ）などをターゲットとする。31日付工商時報が報じた。
イノディスクによると、「DDR4 2666MT/s」は、前世代の「2400MT/s」に比べデータ転送速度が11.2％向上したほか、JEDEC半導体技術協会の規格に準拠しており、1.2Vの低消費電力で動作し、ＤＤＲ３モジュールに比べ20％の省電力化を実現した。
第３四半期に産業用メモリモジュール市場の需要期を迎えた中、ＤＲＡＭおよびＮＡＮＤ型フラッシュメモリー価格上場が続いたことから、イノディスクの７月の連結売上高は前月比2.3％増、前年同期比43.3％増の５億5,600万台湾元（約20億円）と単月過去最高を記録した。
