半導体メモリー大手の華邦電子（ウインボンド・エレクトロニクス）が南部科学工業園区（南科）高雄園区（高雄市路竹区）に特殊用途ＤＲＡＭ、フラッシュメモリーの12インチウエハー新工場を設置する。投資額は3,350億台湾元（約１兆2,000億円）で、2020年の量産を目指す。スマートフォンや、モノのインターネット（ＩｏＴ）など新分野向け需要が拡大する中、中部科学工業園区（中科）工場での生産拡大には限界があるため、新工場の設置を決めた。６日付経済日報が報じた。

　ウインボンド新工場の用地面積は約25ヘクタールで、ＤＲＡＭは新たに25ナノメートル製造プロセスを導入する。ＮＡＮＤ／ＮＯＲ型フラッシュメモリーは30ナノ台での生産になるとみられる。インターネットメディア、科技新報（テックニュース）によると、月産能力は12インチウエハー４万枚のようだ。既に科技部科学工業園区審議委員会議の承認を得ており、董事会で議決後、建設計画の詳細を発表する。

　同社の中科工場の月産能力は現在４万3,000～４万4,000枚で、年末に４万8,000枚、来年下半期に５万3,000枚まで引き上げる計画だ。同工場は最大で５万5,000～５万6,000万枚まで拡充できるスペースしかなく、拡大余地に限界があった。このため新工場の設置によって旺盛な顧客の需要に対応する。

既存拠点の優位性で台湾選択

　同投資計画について焦佑鈞董事長は、シンガポール政府から好条件を提示されたが、新竹と台中に工場を持ち、人員の支援が容易なため台湾での投資を決めたと説明。台湾政府が協力を申し出たことも決め手となったと話した。新工場では就業機会1,000件を創出する見通しだ。

　科技部は、同社はＤＲＡＭとフラッシュメモリーの２分野の製造プロセス開発能力を持つ世界でも数少ないメーカーで、用地、水道、電気、人材育成、研究開発（Ｒ＆Ｄ）など全力で支援していくと表明した。

　同社は今年下半期に38ナノプロセスのＤＲＡＭ生産に着手する計画だ。１～２ギガバイト（GB）の低容量のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは現在46ナノで生産しており、今後32ナノを導入する。ＮＯＲ型フラッシュメモリーは58／46ナノとなっている。

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