ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー用コントローラーＩＣ設計、群聯電子（ファイソン・エレクトロニクス）の潘健成董事長は16日、同製品の技術レベルが来年末には96層３次元（３Ｄ）構造の時代を迎え、容量は256／512ギガバイト（GB）まで向上するとの見通しを示した。５日付電子時報が報じた。
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー業界では今年、64／72層３Ｄ構造への移行が順調に進まない一方で、データセンターのストレージ需要が急速に高まったため、供給不足が生じ、価格の高止まりが続く不健全な状況に陥った。
ただ潘董事長は、直近の２四半期は需給バランスが徐々に安定に向かっており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー価格の高止まりにより、128ギガバイトにとどまっているソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）の主流規格も来年上半期には上向くと予測した。
またファイソンでは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー技術の移行に合わせ、ＳＳＤコントローラー用ＩＣの技術向上も進めており。商機獲得に向けた準備は万全だと強調した。
