台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）傘下の世界先進積体電路（ＶＩＳ、バンガード・インターナショナル・セミコンダクター）は、３年間にわたる研究開発（Ｒ＆Ｄ）の末、シリコン基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた半導体デバイスを生成する「GaN-on-Si（ガン・オン・シリコン）」技術が量産段階に入った。28日付工商時報が伝えた。
ＶＩＳは系列のシリコン基板メーカー、QROMISと提携し、昨年末までに８インチＧａＮウエハーの試験生産にこぎ着け、年内にも世界で初めて同ウエハーの受託加工業者となる見通しだ。今後や第５世代移動通信（５Ｇ）向けの需要を見込む。
ＧａＮは高周波トランジスタなどに使用される半導体材料で、それを使用した電力増幅器（ＰＡ）がコネクテッドカーや電気自動車などに使用され、爆発的な伸びが期待されている。ＧａＮは高温、高周波での動作に適し、低抵抗で使用面積も小さいため、コスト削減につながる。
５Ｇ普及に向けては、ＧａＮを使用したパワートランジスタが基地局などでLDMOS（横方向拡散MOS）に代わり採用される見通しのほか、スマートフォンでもガリウムヒ素（ＧａＡｓ）に代わり、ＧａＮ製造プロセスによるＰＡが採用される可能性が高まっている。
