工業技術研究院（工研院、ＩＴＲＩ）は28日、整流ダイオード大手、強茂（パンジット・インターナショナル）と技術提携を結ぶと発表した。同機関が開発した、電気自動車（ＥＶ）用パワー半導体の中でも将来性が高いとされる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）モジュールに関する技術をパンジットに提供し、これを基に同社は来年第１四半期に同モジュールのテスト量産ラインを設置する計画だ。29日付経済日報が報じた。
工研院電光系統所の呉志毅所長（左２）と方敏清パンジット董事長（右２）が技術提携に調印し、握手を交わした（工研院リリースより）
工研院によると、ＩＧＢＴは従来のパワー半導体に比べ、熱抵抗を40%抑え、チップ動作中の温度を20度下げることができ、ＥＶバッテリーのエネルギー交換効率を大幅に向上させられる。しかし、台湾では従来ＩＧＢＴモジュールの独自技術を欠いており、関連メーカーがＥＶ市場に参入するには海外大手との提携に頼るほかなかった。
しかし工研院はこのほど、ＥＶのほか、インバーター家電用コンプレッサー、工業用モーターなどに応用可能なＩＧＢＴモジュール技術の開発に成功。同技術の供与を受けるパンジットは、チップからモジュールまでを含む十全なＩＧＢＴソリューションの提供が可能な中華圏で唯一のメーカーとなり、欧米大手との技術格差を縮められるという。
