ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体のファウンドリー最大手、穏懋半導体（ウィン・セミコンダクターズ）は23日、需要が予想を下回っている点を踏まえ、今年の設備投資額を当初計画の70億台湾元（約255億円）から50億元へと14％縮小する方針を明らかにした。同社は９月までに47億5,300万元の設備投資を行い、月産能力を３万2,000枚まで高めた。24日付経済日報が伝えた。
同社の第３四半期売上高は40億6,600万元で前期比11％減、前年同期比８％減。純利益は６億9,800万元で前期比23％減、前年同期比40％減少した。設備稼働率は前期の85％から60％へと低下した。
ただ、３Ｄ（３次元）センサーの主要部品、垂直共振器面発光型レーザー（VCSEL）などの出荷量が第４四半期から伸びており、成長軌道に戻りつつあるとした。第４四半期は前期比10％未満の増収を見込む。
