国際半導体製造装置材料協会（ＳＥＭＩ）は18日発表したレポートで、半導体メーカーの2019年世界設備投資予測を前年比８%減の557億8,000万米ドルに下方修正し、従来の７%増から一転、前年割れを見込んでいる。ファウンドリー世界最大手、台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）の５ナノメートル製造プロセス投資などで、台湾の設備投資予測は前年比24%増とプラス転換したものの、米中貿易戦争やメモリー価格下落から中韓メーカーなどが投資計画を先送りしているため。半導体景気の転換点となりそうだ。19日付工商時報などが報じた。

　ＳＥＭＩによると、今年８月に半導体メーカー400社以上の設備投資計画を分析後、18年下半期の販売額予測は13ポイント引き下げ、19年上半期は16ポイント引き下げた。これにより、18年の設備投資予測を605億2,000万米ドルで10%増へと４ポイント引き下げ、19年予測を８％減へと一挙15ポイント引き下げた。当初は19年まで４年連続成長を予測していた。

メモリー需要が減少

　地域別では、中国の19年設備投資額は119億5,700万米ドルで前年比２%減、韓国は120億8,700万米ドルで35%減へと、前回予測から50億米ドル下方修正した。

　ＳＥＭＩの曹世綸台湾区総裁は、米中貿易戦争に加え、メモリー価格の下落が設備投資額減少の主因で、中国メーカーや28ナノ以上の成熟プロセスで設備投資の削減幅が大きいと指摘した。

　ＳＥＭＩによると、メモリーの19年設備投資額は前年比19%減の予測で、うちＤＲＡＭは23%減、３Ｄ NAND型フラッシュメモリーは13%減の見通しだ。ＳＥＭＩは、今年ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー価格が急落し、ＤＲＡＭ価格も第４四半期に弱含んだことで、メモリーメーカーが設備投資を削減し、予約した設備の納入も見合わせていると説明した。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーやＤＲＡＭ市場シェアが非常に高いサムスン電子やＳＫハイニックスが投資を見合わせている。

　中国では、12インチウエハー工場の建設や稼働が相次ぎ、今年の設備投資額は前年比84%増に上ったものの、米中貿易戦争やメモリー市況の低迷で、▽中芯国際集成電路製造（ＳＭＩＣ）▽聯華電子（ＵＭＣ）▽ＳＫハイニックス▽グローバルファウンドリーズ（ＧＦ）──などが来年の投資を見合わせている。

台湾と北米は増加予測

　ＳＥＭＩの予測によると、台湾の19年設備投資予測は114億3,800万米ドルと前年比24%増加する他、北米も49億6,500万米ドルで３%増加する見通しだ。

　台湾では、ＴＳＭＣが５ナノプロセス採用の南部科学工業園区（南科）Ｆａｂ18工場建設を加速している他、ＥＵＶ（極端紫外線）リソグラフィー技術の導入を急いでいる。ＴＳＭＣは、３ナノプロセス工場も計画している。

　また、半導体メモリー大手、米マイクロン・テクノロジーの19年設備投資予測は前年比28%増の約105億米ドルで、台湾と北米の工場で生産能力増強や設備更新を行う計画だ。

　この他、インテルはＣＰＵ（中央演算処理装置）供給不足問題を解消するため、14ナノプロセス生産能力を増強する他、アップルのスマートフォンiPhoneのモデムチップ向けに10ナノプロセス生産能力を急いでいるようだ。

ウエハー価格下落の懸念

　半導体メーカーの設備投資減速を受け、半導体用シリコンウエハー需要の弱まり、供給過剰、価格下落が懸念されている。シリコンウエハー大手の▽環球晶円（グローバルウェーハズ、ＧＷＣ）▽台塑勝高科技（フォルモサ・サムコ・テクノロジー、台勝科、ＦＳＴ）▽合晶科技（ウエハーワークス）──に打撃となる恐れがある。また、設備メーカーの京鼎精密科技（フォックスセミコン・インテグレーテッド・テクノロジー、ｆｉｔｉ）などにも悪材料だ。

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