パワーデバイスの鴻鎵科技（ＧＰＴ）が、ＮＴＴアドバンステクノロジ（NTT-AT、本社・川崎市、木村丈治社長）のパワーデバイス用窒化ガリウム（ＧａＮ）エピタキシャル成長技術の採用を決定し、関連設備を導入することで昨年12月に売買契約を締結したことを16日、NTT-ATが発表した。ＧＰＴは同社製造拠点で、2019年度半ばに量産体制を確立する計画だ。
NTT-AT製ＧａＮエピタキシャルウエハー（NTT-ATリリースより）
ＧａＮを用いたパワーエレクトロニクス用トランジスタは、現在広く使用されているシリコンを使ったトランジスタの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能で、今後、需要がさらに高まる低炭素社会を支えるクリーンデバイスとしての役割が期待されている。ＧＰＴの王興燁執行副総経理は、同技術は今後、電気自動車（ＥＶ）、人工知能（ＡＩ）などで応用が広がると説明した。
ＧＰＴは、NTT-ATからエピタキシャルウエハー成長装置、パワーデバイス用製造レシピを導入し、ＧＰＴが持つ高いデバイス設計技術と組み合わせたパワーエレクトロニクス用素子を製造・販売する予定だ。また、素子を搭載した発光ダイオード（ＬＥＤ）ランプやパソコン用充電器などの応用製品も販売する予定で、その一部はNTT-ATを通して日本国内でも販売する。
