サムスン電子は米国時間14日、米カリフォルニア州サンタクララで開催したファウンドリーフォーラムで、2021年に次世代のゲート・オール・アラウンド（ＧＡＡ）技術を採用した３ナノメートル製造プロセス製品の量産に入るとの見通しを示した。ＧＡＡは半導体の大幅な微細化、性能向上を実現するとされ、業界では同技術においてサムスンが台湾積体電路製造（ＴＳＭＣ）を約１年リードしているとみられている。情報技術（ＩＴ）関連情報サイト、ＣＮＥＴの報道を基に16日付経済日報が伝えた。
ＧＡＡ技術の開発は、ファウンドリー事業でＴＳＭＣやインテルと競争する上で重要な一歩となる。同技術は半導体の核となるトランジスタを再設計したことで、従来のチップに比べ▽面積を45％縮小▽消費電力を50％削減▽35％の高速化──を実現するとうたう。
一方、22年に３ナノプロセスによる量産開始を見込むＴＳＭＣは15日、サムスンの発表に対し「競争相手の技術発展についてはいかなる論評もしない」とコメントした上で、「７ナノおよび５ナノ、さらに３ナノプロセスにおいて世界をリードする地位を維持できると確信している」と強調した。
